від 55 грн.
від 50 грн.
 |
Онлайн оплата без комісії через LiqPay - є підтримка Apple Pay/Google Pay Пріоритетний, безпечний та швидкий спосіб оплати. |
 |
Оплата на банківську карту ПриватБанку |
 |
Безготівковий розрахунок (за реквізитами IBAN) |
 |
Оплата при отриманні - лише при виборі доставки Новою Поштою. Доставка з післяплатою можлива після сплати завдатку 100 грн. |
|
Безготівковий розрахунок з ПДВ для підприємств (замовлення на суму від 1000 грн. плюс 40% до суми замовлення, розраховується автоматично при замовленні на сайті) |
П'яте покоління HEXFET від International Rectifier використовує передові методи обробки для досягнення найнижчого опору при включенні на одиницю площі кремнію. Це перевага, поєднана з швидкою швидкістю перемикання та міцною конструкцією транзистора, за які HEXFET Power MOSFETs добре відомі, забезпечує розробнику надзвичайно ефективний транзистор для використання в широкому спектрі пристроїв.
Корпус D-PAK призначений для монтажу на поверхню за допомогою технологій вакуумного, інфрачервоного або хвильового паяння. Пряма версія висновків (серія IRFU) призначена для монтажу з отворами. У типових застосуваннях монтажу на поверхню можливе розсіювання потужності до 1,5 Вт.
| Категорія продукту | МОП-транзистор |
|---|---|
| Бренд | Infineon |
| Полярність транзистора | N-Channel |
| Id - безперервний струм стоку | 17 А |
| Vds - Напруга пробою сток-витік | 55 В |
| Тип корпусу | TO-252 |
| Спосіб монтажу | SMD Поверхневий |
