N-канальный MOSFET с режимом обогащения BLM8205B
Кодовая маркировка транзистора: 8205M
Транзистор BLM8205B изготовлен по передовой технологии "trench", что обеспечивает ему чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала RDS(ON), малый заряд затвора и работу при напряжении затвора всего от 2,5 В. Это устройство подходит для использования в качестве защиты аккумулятора или в других переключающих схемах.
Общие характеристики:
- VDS = 20 В, ID = 6,5 А
- RDS(ON) < 29 мОм @ VGS = 2,5 В
- RDS(ON) < 25 мОм @ VGS = 4,5 В
- Высокая мощность и способность обрабатывать ток
- Изделие без свинца
- Корпус для поверхностного монтажа
Применение:
- Защита аккумулятора
- Переключатель нагрузки
- Управление питанием