Полевой транзизатор TDM3436 N-канальный MOSFET
- Напряжение: 40В
- Ток: 25А
- Тип корпуса: DFN5*5-8L, размер 5*6мм
*Третяя строка в маркировке транзистора указывает номер партии и год изготовления, эта маркировка ни как не влияет на параметры, и будет отличаться от партии к партии
Общие характеристики:
- RDS(ON) < 4,1 мОм при VGS = 4,5 В
- RDS(ON) < 3,1 мОм при VGS = 10 В
- Высокая мощность и токовая нагрузочная способность
- Доступен продукт без содержания свинца
- Корпус для поверхностного монтажа
Применение:
- ШИМ-приборы
- Выключатель нагрузки
- Управление питанием
Абсолютные максимальные значения:
Параметр |
Символ |
Предел |
Единица |
Напряжение сток-исток |
VDS |
40 |
В |
Напряжение затвор-исток |
VGS |
+20 |
В |
Ток стока при постоянном токе (TA = 25°C) |
ID (TA = 25°C) |
25 |
A |
Ток стока при постоянном токе (TA = 70°C) |
ID (TA = 70°C) |
20 |
A |
Ток стока при импульсном токе (Примечание 1) |
IDM (Tc = 25°C) |
300 |
A |
Ток стока при постоянном токе (Tc = 25°C) |
ID (Tc = 25°C) |
100 |
A |
Ток стока при постоянном токе (Tc = 100°C) |
ID (Tc = 100°C) |
78 |
A |
Максимальная рассеиваемая мощность (TA = 25°C) |
Po |
2,7 |
Вт |
Максимальная рабочая температура перехода |
T |
150 |
°C |
Диапазон температур хранения |
TSTG |
-55 до 150 |
°C |
Тепловые характеристики:
- Тепловое сопротивление, переход-окружающая среда (Примечание 1) | RθJA | 50 | °C/Вт |
Другие характеристики:
- Тип транзистора: N-канальный MOSFET
- Режим усиления: Enhancement Mode
- Производитель: ROHM Semiconductor